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웨이퍼 생산에서 할로겐화 효율적인 Si HCL ₃
표면 코팅의 경우 실리콘 기반 휘발성 Si (CO2H5) 4
C₃H₉Al (TMA)
Cl₆Si₂ (HCDS)
C₄H₁₂Si (4MS)
SIH₂CL₂ (DCS)
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특수 가스
Xe
Ne
Kr
He
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전자 가스
미세 전자 에칭을위한 산성 전자 등급 HCL
실리콘 증착을위한 염소화 된 고순도 siCl₄
반도체 도핑을위한 고순도 특수 ASH₃
웨이퍼 청소에서 부식 산업 CL₂
플라즈마 에칭을위한 불소화 안정 C₂F₆
반도체 제조에서 고도로 반응성 고순도 B₂H₆
얇은 필름 증착을위한 초고 가연성 GeH₄
고급 부식성 NH₃ 반도체 처리를위한 가스
TiCl₄
C₃H₈
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2021년에는 R&D 및 운영 센터를 설립하고 국내외 고품질 재료 자원을 더욱 통합하여 고객에게 더 가치 있는 서비스를 제공합니다.
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